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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | COMPLEX | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-150AC |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 16 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHN405118 | NXP |
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TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-150AC, FET Ge |
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| PHN603S | NXP |
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TrenchMOS/ Schottky diode array Three phase brushless d.c. motor driver |
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| PHN603S,118 | NXP |
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PHN603S |
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| PHN603S115 | NXP |
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TRANSISTOR 5000 mA, 30 V, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-013AD, FET Ge |
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| PHN70308 | NXP |
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N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor array |
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| PHN708 | NXP |
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7 N-channel 80 mohm FET array enhancement mode MOS transistors |
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| PHN708118 | NXP |
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TRANSISTOR 3100 mA, 30 V, 7 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-150AG, FET Ge |
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| PHNR-02C-H | JST |
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2.0mm pitch/Disconnectable Insulation displacement and Crimp style connectors |
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| PHNR-02-H | JST |
获取价格 |
2.0mm pitch/Disconnectable Insulation displacement and Crimp style connectors |
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| PHNR-03C-H | JST |
获取价格 |
2.0mm pitch/Disconnectable Insulation displacement and Crimp style connectors |
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