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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | COMPLEX |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 135 pF | JEDEC-95代码： | MS-013AD |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 24 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHN70308 | NXP |
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N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor array |
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| PHN708 | NXP |
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7 N-channel 80 mohm FET array enhancement mode MOS transistors |
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| PHN708118 | NXP |
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TRANSISTOR 3100 mA, 30 V, 7 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-150AG, FET Ge |
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| PHNR-02C-H | JST |
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2.0mm pitch/Disconnectable Insulation displacement and Crimp style connectors |
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| PHNR-02-H | JST |
获取价格 |
2.0mm pitch/Disconnectable Insulation displacement and Crimp style connectors |
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| PHNR-03C-H | JST |
获取价格 |
2.0mm pitch/Disconnectable Insulation displacement and Crimp style connectors |
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| PHNR-03-H | JST |
获取价格 |
2.0mm pitch/Disconnectable Insulation displacement and Crimp style connectors |
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| PHNR-04C-H | JST |
获取价格 |
2.0mm pitch/Disconnectable Insulation displacement and Crimp style connectors |
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| PHNR-04-H | JST |
获取价格 |
2.0mm pitch/Disconnectable Insulation displacement and Crimp style connectors |
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| PHNR-05C-H | JST |
获取价格 |
2.0mm pitch/Disconnectable Insulation displacement and Crimp style connectors |
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