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PHN708

更新时间: 2024-11-26 22:26:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 93K
描述
7 N-channel 80 mohm FET array enhancement mode MOS transistors

PHN708 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SSOP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24针数:24
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.76Is Samacsys:N
配置:COMPLEX最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):3.1 A最大漏源导通电阻:0.08 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:MO-150AG
JESD-30 代码:R-PDSO-G24元件数量:7
端子数量:24工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PHN708 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PHN708  
7 N-channel 80 mFET array  
enhancement mode MOS  
transistors  
1998 Mar 17  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jun 19  
File under Discrete Semiconductors, SC13  

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