5秒后页面跳转
PHN110 PDF预览

PHN110

更新时间: 2024-01-17 13:06:45
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 83K
描述
N-channel enhancement mode MOS transistor

PHN110 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):4 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.8 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)

PHN110 数据手册

 浏览型号PHN110的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PHN110的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PHN110的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PHN110的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PHN110的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PHN110的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PHN110  
N-channel enhancement mode  
MOS transistor  
1997 Jun 17  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Jul 16  
File under Discrete Semiconductors, SC13b  

与PHN110相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHN110T/R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO
PHN203 NXP

获取价格

Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
PHN203,118 NXP

获取价格

PHN203 - Dual N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 8-Pin
PHN205 NXP

获取价格

Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN205/T3 NXP

获取价格

TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTI
PHN205-T NXP

获取价格

TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET Ge
PHN210 NXP

获取价格

Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
PHN210 PHILIPS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
PHN210T NXP

获取价格

Dual N-channel enhancement mode
PHN210T,118 NXP

获取价格

PHN210T - Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET SOIC 8-Pin