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PHN210

更新时间： 2024-11-27 20:29:31
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS /
页数 文件大小 规格书
7页 91K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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PHN210 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)Base Number Matches：1

PHN210 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Dual N-channel enhancement mode  
TrenchMOSTM transistor  
PHN210  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Dual device  
VDS = 30 V  
d1 d1  
d2 d2  
• Low threshold voltage  
• Fast switching  
ID = 3.4 A  
• Logic level compatible  
• Surface mount package  
RDS(ON) ≤ 100 mΩ (VGS = 10 V)  
RDS(ON) ≤ 200 mΩ (VGS = 4.5 V)  
s1  
g1  
s2  
g2  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT96-1  
8
7
6
5
Dual N-channel enhancement  
mode field-effect transistor in a  
plastic envelope using ’trench’  
technology.  
PIN  
DESCRIPTION  
source 1  
gate 1  
1
2
Applications:-  
• Motor and relay drivers  
• d.c. to d.c. converters  
• Logic level translator  
3
source 2  
gate 2  
pin 1 index  
4
1
2
3
4
The PHN210 is supplied in the  
SOT96-1 (SO8) surface mounting  
package.  
5,6  
7,8  
drain 2  
drain 1  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
Repetitive peak drain-source  
voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C  
-
30  
V
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Continuous drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
30  
30  
V
V
V
A
A
A
A
A
RGS = 20 kΩ  
Gate-source voltage  
± 20  
3.4  
2.8  
2.4  
1.9  
14  
Drain current per MOSFET1  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 70 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 70 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
ID  
Drain current per MOSFET (both  
MOSFETs conducting)1  
Drain current per MOSFET (pulse  
peak value)  
IDM  
Ptot  
Total power dissipation (either or  
both MOSFETs conducting)1  
Storage & operating temperature  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 70 ˚C  
-
-
2
1.3  
150  
W
W
˚C  
Tstg, Tj  
- 65  
1 Surface mounted on FR4 board, t ≤ 10 sec  
January 2002  
1
Rev 1.100  
1234567

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与PHN210相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHN210T NXP

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 		Dual N-channel enhancement mode
PHN210T,118 NXP

获取价格

 		PHN210T - Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET SOIC 8-Pin
PHN210T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
PHN210T/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 3.4 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTI
PHN210-TAPE-7 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purp
PHN220 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SO
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