5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > PHN203
PHN203 PDF预览

PHN203

更新时间： 2024-01-21 21:56:13
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 102K
描述
Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

PHN203 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：PLASTIC, SO-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.16其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：6.3 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：135 pF
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：2
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PHN203 数据手册

 浏览型号PHN203的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PHN203的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PHN203的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PHN203的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PHN203的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PHN203的Datasheet PDF文件第7页 
Philips Semiconductors  
Product specification  
Dual N-channel enhancement mode  
TrenchMOSTM transistor  
PHN203  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Dual device  
VDS = 25 V  
d1 d1  
d2 d2  
• Low threshold voltage  
• Fast switching  
ID = 6.3 A  
• Logic level compatible  
• Surface mount package  
RDS(ON) ≤ 30 mΩ (VGS = 10 V)  
RDS(ON) ≤ 55 mΩ (VGS = 4.5 V)  
s1  
g1  
s2  
g2  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT96-1  
8
7
6
5
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
plastic envelope using ’trench’  
technology. The device has very  
low on-state resistance. It is  
intended for use in dc to dc  
converters and general purpose  
switching applications.  
PIN  
DESCRIPTION  
source 1  
gate 1  
1
2
3
source 2  
gate 2  
pin 1 index  
4
1
2
3
4
The PHN203 is supplied in the  
SOT96-1 (SO8) surface mounting  
package.  
5,6  
7,8  
drain 2  
drain 1  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
Repetitive peak drain-source  
voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C  
-
25  
V
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Continuous drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
25  
25  
± 20  
6.3  
5
4.4  
3.5  
25  
V
V
V
A
A
A
A
A
RGS = 20 kΩ  
Gate-source voltage  
Drain current per MOSFET1  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 70 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 70 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
ID  
Drain current per MOSFET (both  
MOSFETs conducting)1  
Drain current per MOSFET (pulse  
peak value)  
IDM  
Ptot  
Total power dissipation (either or  
both MOSFETs conducting)1  
Storage & operating temperature  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 70 ˚C  
-
-
2
1.3  
150  
W
W
˚C  
Tstg, Tj  
- 55  
1 Surface mounted on FR4 board, t ≤ 10 sec  
January 1999  
1
Rev 1.000  
1234567

中文翻译

下载PDF

与PHN203相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHN203,118 NXP

获取价格

 		PHN203 - Dual N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 8-Pin
PHN205 NXP

获取价格

 		Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN205/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTI
PHN205-T NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET Ge
PHN210 NXP

获取价格

 		Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
PHN210 PHILIPS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
PHN210T NXP

获取价格

 		Dual N-channel enhancement mode
PHN210T,118 NXP

获取价格

 		PHN210T - Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET SOIC 8-Pin
PHN210T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
PHN210T/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 3.4 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTI

与PHN203相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证