PHN205-T

更新时间： 2024-02-17 09:50:22

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	89K
描述
TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpose Small Signal

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PHN205-T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	6.4 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

PHN205

Dual N-channel enhancement

mode

MOS transistor

1997 Oct 22

Product speciﬁcation

Supersedes data of 1997 Jun 18

File under Discrete Semiconductors, SC13b

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHN210	NXP	获取价格	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
PHN210	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
PHN210T	NXP	获取价格	Dual N-channel enhancement mode
PHN210T,118	NXP	获取价格	PHN210T - Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET SOIC 8-Pin
PHN210T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| SO
PHN210T/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.4 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTI
PHN210-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purp
PHN220	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 2.6A I(D) \| SO
PHN300	ETC	获取价格	RECTIFIER DIODES STUD AND FLAT BASE TYPES
PHN320	ETC	获取价格	RECTIFIER DIODES STUD AND FLAT BASE TYPES