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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHN110 | NXP |
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N-channel enhancement mode MOS transistor |
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| PHN110T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
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| PHN203 | NXP |
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Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
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| PHN203,118 | NXP |
获取价格 |
PHN203 - Dual N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 8-Pin |
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| PHN205 | NXP |
获取价格 |
Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
|
| PHN205/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTI |
|
| PHN205-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET Ge |
|
| PHN210 | NXP |
获取价格 |
Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
|
| PHN210 | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| PHN210T | NXP |
获取价格 |
Dual N-channel enhancement mode |
|
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