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PHN103T/T3

更新时间： 2024-11-29 21:22:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	98K
描述
TRANSISTOR 8600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General Purpose Small Signal

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PHN103T/T3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	8.6 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHN103T/T3 数据手册

PHN103T

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 02 — 28 April 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Low on-state resistance

■ Fast switching

■ Logic level compatible.

1.3 Applications

■ Motor driver

■ Actuator driver

■ Battery management

■ High speed, low resistance switch.

1.4 Quick reference data

Table 1:

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage (DC)

25 °C ≤ T_j≤ 150 °C

T_sp= 25 °C; V_GS= 4.5 V

T_sp= 25 °C

drain current (DC)

8.6

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

6.25 W

150 °C

R_DSon

drain-source on-state resistance V_GS= 10 V; I_D= 5 A

V_GS= 4.5 V; I_D= 2.5 A

mΩ

2. Pinning information

Table 2:

Pinning - SOT96-1 (SO8), simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

1,2,3

5,6,7,8

drain (d)

MBB076

Top view

MBK187

SOT96-1 (SO8)

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PHN210	NXP	获取价格	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
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