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PHN1018

更新时间： 2024-01-25 18:19:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	91K
描述
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET

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PHN1018 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.82	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.6 A	最大漏极电流 (ID)：	9.6 A
最大漏源导通电阻：	0.021 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	38 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHN1018 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

Logic level FET

PHN1018

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

• Low-profile surface mount

package

V_DSS= 25 V

I_D= 9.6 A

_DS(ON)≤ 18 mΩ (V_GS= 10 V)

• Logic level compatible

R_DS(ON)≤ 21 mΩ (V_GS= 5 V)

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOT96-1 (SO8)

N-channel enhancement mode

logic level field-effect power

transistor in a surface mounting

plastic package using ’trench’

technology.

DESCRIPTION

1-3

source

gate

Application:-

5-8

drain

•

High frequency computer

pin 1 index

motherboard d.c. to d.c. converters

The PHN1018 is supplied in the

SOT96-1 (SO8) surface mounting

package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

T_j= 25 ˚C to 150˚C

T_j= 25 ˚C to 150˚C;

R_GS= 20 kΩ

V_GS

V_GSM

Gate-source voltage (DC)

Gate-source voltage (pulse peak

value)

± 15

± 20

I_D

Drain current (t_p≤ 10 s)

T_a= 25 ˚C

T_a= 70 ˚C

T_a= 25 ˚C

T_a= 70 ˚C

9.6

7.7

2.5

1.6

150

˚C

I_DM

P_tot

Drain current (pulse peak value)

Total power dissipation

T_j, T_stg

Operating junction and storage

temperature

- 55

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP.

MAX.

UNIT

R_{th j-a}

Thermal resistance junction Surface mounted, FR4 board, t ≤ 10 sec

to ambient

K/W

R_{th j-a}

Thermal resistance junction Surface mounted, FR4 board

to ambient

150

K/W

October 1999

Rev 1.200

12 3 4 5 6 7

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与PHN1018相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHN1018/T3	ETC	获取价格	TRANSISTOR MOSFET SOT-96
PHN103	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN103/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SOP-8, F
PHN103112	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpo
PHN103118	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpo
PHN103S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 25V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SO
PHN103T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General
PHN103T,118	NXP	获取价格	PHN103T
PHN103T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| SO
PHN103T/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General

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