PDTC123JE

更新时间： 2024-10-31 22:34:27

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	54K
描述
NPN resistor-equipped transistor

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PDTC123JE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	PLASTIC, SC-75, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	3.5 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.15 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D173

PDTC123JE

NPN resistor-equipped transistor

1999 May 21

Product speciﬁcation

Supersedes data of 1998 Aug 03

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PDTC123JE,115	NXP	功能相似	PDTC123J series - NPN resistor-equipped trans

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTC123JE,115	NXP	获取价格	PDTC123J series - NPN resistor-equipped trans
PDTC123JE/T4	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene
PDTC123JEF	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistor
PDTC123JEFT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN, BIP Gene
PDTC123JET/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene
PDTC123JK	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTC123JM	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTC123JM	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC123JM,315	ETC	获取价格	TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
PDTC123JMB	NXP	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA