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PDTC123JE

更新时间: 2024-11-23 22:34:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 54K
描述
NPN resistor-equipped transistor

PDTC123JE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-75
包装说明:PLASTIC, SC-75, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.09
Is Samacsys:N其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:3.5 pF
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.15 W最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

PDTC123JE 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PDTC123JE  
NPN resistor-equipped transistor  
1999 May 21  
Product specification  
Supersedes data of 1998 Aug 03  

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