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NVB5860NLT4G

更新时间： 2024-11-14 12:22:51
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安森美 - ONSEMI /
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7页 122K
描述
N-Channel Power MOSFET

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NVB5860NLT4G 数据手册

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NTB5860NL, NTP5860NL,  
NVB5860NL  
N-Channel Power MOSFET  
60 V, 220 A, 3.0 mW  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free and are RoHS Compliant  
3.0 mW @ 10 V  
3.6 mW @ 4.5 V  
60 V  
220 A  
• NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
G
V
DSS  
V
GS  
$20  
220  
156  
283  
V
S
N−CHANNEL MOSFET  
Continuous Drain  
Current, R  
Steady  
State  
T = 25°C  
I
D
A
A
q
JC  
T = 100°C  
A
4
Power Dissipation,  
R
Steady  
State  
T = 25°C  
A
P
D
W
q
JC  
4
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
660  
130  
A
A
p
DM  
1
2
Current Limited by Package  
I
DMmax  
3
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
+175  
°C  
stg  
2
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 2  
1
Source Current (Body Diode)  
I
S
130  
735  
A
2
3
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (L = 0.3 mH)  
E
mJ  
AS  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Lead Temperature for Soldering  
Purposes (1/8″ from Case for 10 Seconds)  
T
260  
°C  
L
4
4
Drain  
Drain  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
0.53  
28  
Unit  
NTB  
5860NLG  
AYWW  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
NTP  
5860NLG  
AYWW  
R
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
2
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
Augsut, 2012 − Rev. 1  
NTB5860NL/D  
 
1234567

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NVB5860NLT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDB024N06 ONSEMI

类似代替

 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，265A，2.4mΩ
NVB5860NT4G ONSEMI

类似代替

 功率 MOSFET，60V，220A，3mΩ，单 N 沟道，D2PAK
IRFS7530TRLPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与NVB5860NLT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVB5860NT4G ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，60V，220A，3mΩ，单 N 沟道，D2PAK
NVB60N06T4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 V, 60 A, N−Channel D2PAK
NVB6410AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
NVB6410ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
NVB6411AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
NVB6411ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
NVB6412AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
NVB6412ANT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 100V, 58A, 18.2 mohm, Single N-Channel, D2PAK.
NVB6413AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m
NVB6413ANT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 100V 42A 28 mohm Single N-Channel D2PAK

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