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NTTFS4945NTWG PDF预览

NTTFS4945NTWG

更新时间： 2024-11-20 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
7页 133K
描述
Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N−Channel, μ8FL

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NTTFS4945NTWG 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：DFN包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-N5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：7.1 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTFS4945NTWG 数据手册

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NTTFS4945N  
Power MOSFET  
30 V, 34 A, Single N−Channel, m8FL  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
9.0 mW @ 10 V  
13 mW @ 4.5 V  
Applications  
30 V  
34 A  
• Power Load Switch  
• Notebook Battery Management  
• Motor Control  
N−Channel MOSFET  
D (5−8)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
30  
20  
V
V
A
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
G (4)  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
11.2  
8.0  
A
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 85°C  
A
S (1,2,3)  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25°C  
P
2.16  
W
A
q
JA  
A
D
Continuous Drain  
I
D
MARKING DIAGRAM  
T = 25°C  
A
15.7  
11.3  
4.30  
Current R  
(Note 1)  
≤ 10 s  
q
JA  
1
T = 85°C  
A
1
S
S
S
G
D
D
D
D
4945  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Power Dissipation  
≤ 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
D
D
D
R
q
JA  
Steady  
State  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
T = 25°C  
A
7.1  
5.1  
D
q
JA  
T = 85°C  
A
4945  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.89  
W
A
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 1)  
T
T
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
34  
24.4  
20  
D
C
C
C
q
JC  
(Note: Microdot may be in either location)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
R
q
JC  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
102  
65  
A
A
A
p
DM  
I
DmaxPkg  
ORDERING INFORMATION  
Current Limited by Pkg.  
T = 25°C  
A
†
Device  
Package  
Shipping  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
T
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
NTTFS4945NTAG  
WDFN8 1500/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Source Current (Body Diode)  
I
20  
6.0  
A
S
NTTFS4945NTWG WDFN8 5000/Tape & Reel  
Drain to Source DV/DT  
dV/dt  
V/ns  
mJ  
(Pb−Free)  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
AS  
26.5  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
(T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
I = 23 A , L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
October, 2009 − Rev. 1  
NTTFS4945N/D  
 
1234567

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