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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTR4101PT1G
NTR4101PT1G PDF预览

NTR4101PT1G

更新时间： 2024-01-17 15:19:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23

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NTR4101PT1G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：2 weeks
风险等级：1.65Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4 A最大漏极电流 (ID)：1.8 A
最大漏源导通电阻：0.085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.25 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTR4101PT1G 数据手册

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NTR4101P  
Trench Power MOSFET  
−20 V, Single P−Channel, SOT−23  
Features  
• Leading −20 V Trench for Low R  
DS(on)  
• −1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive  
• SOT−23 Surface Mount for Small Footprint  
• Pb−Free Package is Available  
http://onsemi.com  
Applications  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• Load/Power Management for Portables  
• Load/Power Management for Computing  
• Charging Circuits and Battery Protection  
70 mW @ −4.5 V  
90 mW @ −2.5 V  
112 mW @ −1.8 V  
−20 V  
−3.2 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
P−Channel MOSFET  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
S
V
DSS  
−20  
±8.0  
−2.4  
−1.7  
−3.2  
0.73  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
D
A
G
A
T = 85°C  
A
t ≤ 10 s T = 25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
P
D
W
A
D
t ≤ 10 s  
1.25  
−1.8  
−1.3  
0.42  
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady T = 25°C  
State  
I
A
A
D
T = 85°C  
A
3
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
W
D
3
Drain  
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
−7.5  
225  
A
V
DM  
TR4  
W
1
ESD Capability (Note 3)  
C = 100 pF,  
RS = 1500 W  
ESD  
2
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
J
1
Gate  
2
T
STG  
Source  
Source Current (Body Diode)  
I
S
−2.4  
260  
A
TR4  
W
= Device Code  
= Work Week  
Lead Temperature for Soldering  
Purposes (1/8” from case for 10 s)  
T
L
°C  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
NTR4101PT1  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
Parameter  
Symbol  
Max  
170  
100  
300  
Unit  
NTR4101PT1G  
SOT−23  
Pb−Free  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − t < 10 s (Note 1)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
q
q
JA  
JA  
JA  
R
R
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces)  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
3. ESD Rating Information: HBM Class 0  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
October, 2004 − Rev. 3  
NTR4101P/D  
 
123456

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