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NTR4170N

更新时间： 2024-11-20 06:00:39
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安森美 - ONSEMI /
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5页 101K
描述
Power MOSFET 30 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23

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NTR4170N 数据手册

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NTR4170N  
Power MOSFET  
30 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• Low Gate Charge  
• Low Threshold Voltage  
• Halide Free  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• This is a Pb−Free Device  
55 mW @ 10 V  
70 mW @ 4.5 V  
110 mW @ 2.5 V  
3.2 A  
2.8 A  
2.0 A  
30 V  
Applications  
• Power Converters for Portables  
• Battery Management  
• Load/Power Switch  
SIMPLIFIED SCHEMATIC − N−CHANNEL  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
V
DSS  
30  
12  
G
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
3.2  
2.3  
4.0  
0.78  
A
t ≤ 30 s  
S
T = 85°C  
A
I
A
D
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
t ≤ 10 s T = 25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
W
3
3
Drain  
T = 25°C  
A
P
D
t ≤ 10 s  
1.25  
8.0  
1
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
A
°C  
A
p
DM  
TREMG  
2
G
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
T
stg  
−55 to  
150  
J
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
1
1
Gate  
2
Source Current (Body Diode)  
I
0.78  
260  
S
Source  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
°C  
TRE  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
ORDERING INFORMATION  
Parameter  
Symbol  
Max  
260  
153  
100  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − t ≤ 30 s  
R
°C/W  
q
JA  
NTR4170NT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000/Tape & Reel  
R
q
JA  
Junction−to−Ambient − t < 10 s (Note 1)  
R
q
JA  
NTR4170NT3G  
SOT−23  
10000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces).  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
June, 2008 − Rev. 0  
NTR4170N/D  
 
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTR4170NT KEXIN

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 		N-Channel MOSFET
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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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