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NTMS7N03R2

更新时间： 2024-11-19 22:22:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
12页 101K
描述
Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts

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NTMS7N03R2 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：CASE 751-07, SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：288 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.38 A最大漏极电流 (ID)：4.8 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTMS7N03R2 数据手册

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NTMS7N03R2  
Power MOSFET  
7 Amps, 30 Volts  
N-Channel SO-8  
Features  
• Ultra Low R  
DS(on)  
• Higher Efficiency Extending Battery Life  
• Logic Level Gate Drive  
http://onsemi.com  
• Miniature SO-8 Surface Mount Package  
• Avalanche Energy Specified  
7 AMPERES  
30 VOLTS  
RDS(on) = 23 mW  
• I  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
Typical Applications  
• DC-DC Converters  
• Power Management  
• Motor Controls  
N-Channel  
D
• Inductive Loads  
• Replaces MMSF7N03HD, MMSF7N03Z, and MMSF5N03HD in  
G
Many Applications  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
S
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Drain-to-Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
MARKING  
Drain-to-Gate Voltage (R = 1.0 MΩ)  
V
30  
Vdc  
GS  
DIAGRAM  
Gate-to-Source Voltage - Continuous  
V
± 20  
50  
Vdc  
GS  
Thermal Resistance - Junction to Ambient  
(Note 1)  
R
°C/W  
θ
JA  
SO-8  
CASE 751  
STYLE 13  
E7N03  
AYWW  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
2.5  
Watts  
Adc  
A
D
8
Drain Current - Continuous @ T = 25°C  
I
I
8.5  
6.8  
25  
A
D
Drain Current - Continuous @ T = 70°C  
A
D
1
Drain Current - Pulsed (Note 4)  
I
Apk  
DM  
Thermal Resistance - Junction to Ambient  
(Note 2)  
R
85  
°C/W  
θ
JA  
E7N03 = Device Code  
A
= Assembly Location  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
1.47  
Watts  
Adc  
A
D
Drain Current - Continuous @ T = 25°C  
I
I
6.5  
5.2  
18  
A
D
Drain Current - Continuous @ T = 70°C  
A
D
Drain Current - Pulsed (Note 4)  
I
Apk  
DM  
PIN ASSIGNMENT  
Thermal Resistance - Junction to Ambient  
(Note 3)  
R
156  
°C/W  
θ
JA  
N-C  
Source  
Source  
Drain  
Drain  
Drain  
1
2
3
4
8
7
6
5
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
0.8  
Watts  
Adc  
A
Drain Current - Continuous @ T = 25°C  
I
I
4.8  
3.8  
14  
A
D
Drain Current - Continuous @ T = 70°C  
A
D
Drain Current - Pulsed (Note 4)  
I
Apk  
Gate  
Drain  
DM  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
- 55 to  
+150  
°C  
Top View  
J
stg  
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche  
E
AS  
288  
mJ  
ORDERING INFORMATION  
Energy - Starting T = 25°C  
J
(V = 30 Vdc, V = 10 Vdc, Peak  
DD  
GS  
Device  
Package  
Shipping  
2500/Tape & Reel  
I = 12 Apk, L = 4.0 mH, R = 25 Ω)  
L
G
1. 2″ SQ. FR-4 PCB mounting, (2 oz. Cu 0.06″ thick single sided), 10 Sec. Max.  
2. 2″ SQ. FR-4 PCB mounting, (2 oz. Cu 0.06″ thick single sided),  
t = steady state.  
NTMS7N03R2  
SO-8  
3. Minimum FR4 or G10 PCB, t = steady state.  
4. Pulse test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
November, 2002 - Rev. 3  
NTMS7N03R2/D  
1234567...12

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NTMS7N03R2 替代型号

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