是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DFN | 包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 7 weeks |
风险等级: | 0.93 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.8 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.3 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTLJD3119CTAG | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.6 A/−4.1 A, uCool Complementary, 2x2 mm, WDFN Packa |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTLJD3181PZ | ONSEMI |
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Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Pack | |
NTLJD3181PZTAG | ONSEMI |
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Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Pack | |
NTLJD3181PZTBG | ONSEMI |
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Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Pack | |
NTLJD3182FZ | ONSEMI |
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Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, | |
NTLJD3182FZTAG | ONSEMI |
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Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, | |
NTLJD3182FZTBG | ONSEMI |
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Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, | |
NTLJD3183CZ | ONSEMI |
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Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4 | |
NTLJD3183CZTAG | ONSEMI |
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Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4 | |
NTLJD3183CZTBG | ONSEMI |
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Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4 | |
NTLJD4114N | ONSEMI |
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