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NTLJF3118NTBG

更新时间： 2024-09-24 03:12:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
7页 155K
描述
Power MOSFET and Schottky Diode 20 V, 4.6 A, uCool N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm WDFN Package

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NTLJF3118NTBG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：DFN包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：2.6 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTLJF3118NTBG 数据手册

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NTLJF3118N  
Power MOSFET and  
Schottky Diode  
20 V, 4.6 A, mCool] N−Channel, with  
2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm  
WDFN Package  
http://onsemi.com  
MOSFET  
Features  
V
R
Max  
I Max  
D
• WDFN 2x2 mm Package Provides Exposed Drain Pad for  
Excellent Thermal Conduction  
(BR)DSS  
DS(on)  
65 mW @ 4.5 V  
75 mW @ 2.5 V  
120 mW @ 1.8 V  
3.8 A  
2.0 A  
1.7 A  
• Footprint Same as SC−88 Package  
20 V  
• 1.8 V V Rated R  
GS  
DS(on)  
• Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments  
• Low VF 2 A Schottky Diode  
SCHOTTKY DIODE  
V
Max  
V Typ  
I Max  
F
R
F
• This is a Pb−Free Device  
Applications  
20 V  
0.41 V  
2.0 A  
• DC−DC Boost/Buck Converter  
• Low Voltage Hard Disk DC Power Source  
D
A
K
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
G
V
20  
12  
V
V
A
DSS  
S
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain Current  
(Note 1)  
I
D
T = 25°C  
3.8  
2.8  
4.6  
1.5  
N−CHANNEL MOSFET  
SCHOTTKY DIODE  
A
Steady  
State  
T = 85°C  
A
MARKING  
DIAGRAM  
t ≤ 5 s T = 25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
A
Steady  
State  
D
1
2
3
6
5
4
1
T = 25°C  
A
JK M G  
WDFN6  
t ≤ 5 s  
2.2  
2.6  
1.9  
0.7  
G
CASE 506AN  
Continuous Drain Current  
(Note 2)  
I
D
T = 25°C  
A
T = 85°C  
A
Steady  
State  
JK  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
D
T = 25°C  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
18  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
PIN CONNECTIONS  
T
Source Current (Body Diode)  
I
1.8  
A
S
K
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
260  
°C  
A
N/C  
D
K
G
S
L
1
2
3
6
5
4
(1/8″ from case for 10 s)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface Mounted on FR4 Board using 2 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [2 oz] including traces).  
2. Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended pad size.  
D
(Top View)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
October, 2006 − Rev. 0  
NTLJF3118N/D  
1234567

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与NTLJF3118NTBG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTLJF4156N ONSEMI

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 		Typical Uses for FETKY Devices
NTLJF4156NT1G ROCHESTER

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 		2.5A, 30V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2 X 2 MM, LEAD FREE, CASE 506AN-01, WDFN
NTLJF4156NT1G ONSEMI

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NTLJS17D0P03P8ZTAG ONSEMI

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