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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTLJS3113PT1G
NTLJS3113PT1G PDF预览

NTLJS3113PT1G

更新时间： 2024-09-24 02:59:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 79K
描述
Power MOSFET −20 V, −7.7 A, uCool TM Single 2x2 mm, WDFN Package

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NTLJS3113PT1G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：WDFN6, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.91
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.7 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.9 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：23 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTLJS3113PT1G 数据手册

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NTLJS3113P  
Power MOSFET  
−20 V, −7.7 A, mCoolt Single P−Channel,  
2x2 mm, WDFN Package  
Features  
• WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal  
Conduction  
http://onsemi.com  
• 2x2 mm Footprint Same as SC−88 Package  
V
R
MAX  
I MAX (Note 1)  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Lowest R  
• 1.5 V R  
Solution in 2x2 mm Package  
DS(on)  
40 mW @ −4.5 V  
50 mW @ −2.5 V  
75 mW @ −1.8 V  
200 mW @ −1.5 V  
Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate  
DS(on)  
−20 V  
−7.7 A  
Drive  
• Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments  
• This is a Pb−Free Device  
S
Applications  
• DC−DC Converters (Buck and Boost Circuits)  
• Optimized for Battery and Load Management Applications in  
Portable Equipment such as, Cell Phones, PDA’s, Media Players, etc.  
• High Side Load Switch  
G
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
P−CHANNEL MOSFET  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
−20  
8.0  
Unit  
V
MARKING  
DIAGRAM  
S
V
DSS  
D
Gate−to−Source Voltage  
V
V
GS  
WDFN6  
CASE 506AP  
1
2
3
6
5
4
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
I
A
T = 25°C  
−5.8  
−4.4  
−7.7  
1.9  
J8MG  
D
A
Steady  
State  
G
T = 85°C  
A
Pin 1  
t ≤ 5 s  
T = 25°C  
A
J8 = Specific Device Code  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
Steady  
State  
D
D
T = 25°C  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
t ≤ 5 s  
3.3  
−3.5  
−2.5  
0.7  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
I
A
T = 25°C  
A
D
PIN CONNECTIONS  
T = 85°C  
A
Steady  
State  
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
W
T = 25°C  
A
D
D
G
D
1
2
3
6
5
4
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
−23  
A
p
DM  
D
S
Operating Junction and Storage Temperature T , T  
−55 to  
150  
°C  
D
J
STG  
Source Current (Body Diode) (Note 2)  
I
−2.8  
260  
A
S
S
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
°C  
L
(Top View)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
1. Surface Mounted on FR4 Board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces).  
NTLJS3113PT1G  
WDFN6  
3000/Tape & Reel  
2. Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended pad size,  
(Pb−Free)  
2
(30 mm , 2 oz Cu).  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
May, 2006 − Rev. 3  
NTLJS3113P/D  
 
123456

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