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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | 2 X 2 MM, LEAD FREE, CASE 506AN-01, WDFN6, 6 PIN | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.33 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.09 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-C6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTLJF4156NTAG | ROCHESTER |
获取价格 |
2.5A, 30V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2 X 2 MM, LEAD FREE, CASE 506AN-01, WDFN |
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| NTLJF4156NTAG | ONSEMI |
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单 N 沟道功率 MOSFET 和肖特基二极管 30V 4.6A 70mΩ |
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| NTLJS1102P | ONSEMI |
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Power MOSFET −8 V, −8.1 A, COOL Single P−Channel, 2x2 mm, WDFN package |
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| NTLJS1102PTAG | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET −8 V, −8.1 A, COOL Single P−Channel, 2x2 mm, WDFN package |
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| NTLJS1102PTBG | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET −8 V, −8.1 A, COOL Single P−Channel, 2x2 mm, WDFN package |
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| NTLJS14D0P03P8ZTAG | ONSEMI |
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MOSFET, -30V P-Channel WDFN6 |
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| NTLJS17D0P03P8ZTAG | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，-30V 单 P 沟道，功率 Clip22 |
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| NTLJS2103P | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| NTLJS2103PTAG | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| NTLJS2103PTBG | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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