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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTLJF3117PT1G
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NTLJF3117PT1G

更新时间： 2024-09-24 03:09:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 92K
描述
Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −4.1 A, P−Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, uCool Package

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NTLJF3117PT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：WDFN6, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.74
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.3 A
最大漏极电流 (ID)：2.3 A最大漏源导通电阻：0.135 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTLJF3117PT1G 数据手册

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NTLJF3117P  
Power MOSFET and  
Schottky Diode  
−20 V, −4.1 A, P−Channel, with 2.0 A  
Schottky Barrier Diode, 2x2 mm,  
mCool] Package  
• FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode  
• mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent  
Thermal Conduction  
http://onsemi.com  
MOSFET  
Features  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX (Note 1)  
D
(BR)DSS  
100 mW @ −4.5 V  
135 mW @ −2.5 V  
200 mW @ −1.8 V  
• 2x2 mm Footprint Same as SC−88 Package Design  
−20 V  
−4.1 A  
• Independent Pinout Provides Circuit Design Flexibility  
• Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environment  
• High Current Schottky Diode: 2 A Current Rating  
SCHOTTKY DIODE  
V
MAX  
V
TYP  
I MAX  
F
• This is a Pb−Free Device  
R
F
Applications  
30 V  
0.47 V  
2.0 A  
• Optimized for Portable Applications like Cell Phones, Digital  
Cameras, Media Players, etc.  
D
A
K
• DC−DC Buck Circuit  
• Li−Ion Battery Applications  
• Color Display and Camera Flash Regulators  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
−20  
8.0  
Unit  
V
S
V
DSS  
P−CHANNEL MOSFET  
SCHOTTKY DIODE  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
GS  
MARKING  
DIAGRAM  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
I
A
T = 25°C  
−3.3  
−2.4  
−4.1  
1.5  
D
A
Steady  
State  
T = 85°C  
A
1
2
3
6
5
4
1
t ≤ 5 s T = 25°C  
A
JHMG  
WDFN6  
CASE 506AN  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
Steady  
State  
D
D
G
T = 25°C  
A
JH = Specific Device Code  
t ≤ 5 s  
2.3  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
I
A
T = 25°C  
A
−2.3  
−1.6  
0.71  
D
T = 85°C  
A
Steady  
State  
(Note: Microdot may be in either location)  
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
W
T = 25°C  
A
PIN CONNECTIONS  
K
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
−20  
A
p
DM  
Operating Junction and Storage Temperature T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
STG  
A
N/C  
D
K
G
S
1
2
3
6
5
4
Source Current (Body Diode) (Note 2)  
I
−1.9  
260  
A
S
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
°C  
L
D
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
(Top View)  
1. Surface Mounted on FR4 Board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[1 oz] including traces).  
2. Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended pad size  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
2
of 30 mm , 2 oz Cu.  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
July, 2006 − Rev. 2  
NTLJF3117P/D  
 
12345678

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NTLJF3117PT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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NTLJF4156NT1G ROCHESTER

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