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NTLJD3182FZTAG

更新时间： 2024-11-01 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
8页 129K
描述
Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −4.0 A, μCool™ Single P−Channel & Schottky Barrier Diode, ESD

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NTLJD3182FZTAG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFN包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.42外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：2.2 A最大漏源导通电阻：0.144 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

NTLJD3182FZTAG 数据手册

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NTLJD3182FZ  
Power MOSFET and  
Schottky Diode  
−20 V, −4.0 A, mCoolt Single P−Channel  
& Schottky Barrier Diode, ESD  
Features  
• WDFN 2x2 mm Package with Exposed Drain Pads for Excellent  
http://onsemi.com  
Thermal Conduction  
• Lowest R  
Solution in 2x2 mm Package  
DS(on)  
P−CHANNEL MOSFET  
• Footprint Same as SC−88 Package  
• Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments  
• ESD Protected  
V
R
DS(on)  
Max  
I
D
Max  
(BR)DSS  
100 mW @ −4.5 V  
144 mW @ −2.5 V  
200 mW @ −1.8 V  
−20 V  
−4.0 A  
• High Current Schottky Diode: 2 A Current Rating  
• This is a Pb−Free Device  
Applications  
SCHOTTKY DIODE  
• Optimized for Battery and Load Management Applications in  
Portable Equipment  
V
Max  
V Max  
F
I Max  
F
R
20 V  
0.47 V  
2.0 A  
• Li−Ion Battery Charging and Protection Circuits  
• DC−DC Buck Circuit  
A
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
−20  
8.0  
Unit  
V
G
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
I
−3.2  
−2.3  
−4.0  
1.5  
A
A
D
Steady  
State  
T = 85°C  
A
K
D
t ≤ 5 s  
T = 25°C  
A
P−CHANNEL MOSFET  
SCHOTTKY DIODE  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
P
W
D
T = 25°C  
A
MARKING  
DIAGRAM  
D
t ≤ 5 s  
2.3  
K
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
T = 25°C  
I
−2.2  
−1.6  
0.71  
A
A
D
WDFN6  
CASE 506AN  
1
2
3
6
5
4
Steady  
State  
T = 85°C  
A
JJMG  
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
W
D
G
T = 25°C  
A
Pin 1  
JJ = Specific Device Code  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
−16  
A
p
DM  
M
= Date Code  
Operating Junction and Storage Temperature T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
STG  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Source Current (Body Diode) (Note 2)  
I
S
−1.0  
A
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
PIN CONNECTIONS  
K
SCHOTTKY MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
A
N/C  
D
K
G
S
1
2
3
6
5
4
Parameter  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
V
RRM  
V
R
30  
V
D
Average Rectified Forward Current  
I
F
2.0  
A
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
(Top View)  
1. Surface Mounted on FR4 Board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces).  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
2. Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended pad size,  
2
(30 mm , 2 oz Cu).  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
December, 2008 − Rev. 0  
NTLJD3180PZ/D  
 
12345678

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