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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTLJD3183CZTAG
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NTLJD3183CZTAG

更新时间： 2024-11-01 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
9页 136K
描述
Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4.0 A, μCool™ Complementary, 2x2 mm, WDFN Package

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NTLJD3183CZTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：DFN包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.31外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：2.6 A最大漏源导通电阻：0.086 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTLJD3183CZTAG 数据手册

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NTLJD3183CZ  
Power MOSFET  
20 V/−20 V, 4.7 A/−4.0 A, mCoolt  
Complementary, 2x2 mm, WDFN Package  
Features  
• WDFN 2x2 mm Package with Exposed Drain Pads for Excellent  
http://onsemi.com  
Thermal Conduction  
• Lowest R  
in 2x2 mm Package  
DS(on)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Footprint Same as SC−88 Package  
• Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments  
• ESD Protected  
68 mW @ 4.5 V  
86 mW @ 2.5 V  
4.7 A  
4.2 A  
N−Channel  
20 V  
120 mW @ 1.8 V  
100 mW @ −4.5 V  
144 mW @ −2.5 V  
200 mW @ −1.8 V  
3.5 A  
−4.0 A  
−3.3 A  
−2.8 A  
• This is a Pb−Free Device  
Applications  
P−Channel  
−20 V  
• Optimized for Battery and Load Management Applications in  
Portable Equipment  
• Load Switch  
• Level Shift Circuits  
MARKING  
DIAGRAM  
D2  
D1  
• DC−DC Converters  
1
2
3
6
5
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
WDFN6  
CASE 506AN  
JNMG  
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
V
Pin 1  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
8.0  
V
JN = Specific Device Code  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
T = 25°C  
3.8  
2.7  
4.7  
N−Channel  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
I
D
A
Steady  
State  
A
T = 85°C  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
t ≤ 5 s  
T = 25°C  
A
T = 25°C  
−3.2  
−2.3  
−4.0  
1.5  
P−Channel  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
I
A
Steady  
State  
A
D
PIN CONNECTIONS  
D1  
T = 85°C  
A
t ≤ 5 s  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
I
W
D
S1  
G1  
D2  
D1  
G2  
S2  
1
2
3
6
5
4
T = 25°C  
A
t ≤ 5 s  
2.3  
2.6  
T = 25°C  
A
N−Channel  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
P−Channel  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
A
A
D
Steady  
State  
D2  
T = 85°C  
A
1.9  
T = 25°C  
A
−2.2  
−1.6  
0.71  
I
D
Steady  
State  
T = 85°C  
A
(Top View)  
Power Dissipation  
(Note 2)  
Steady  
State  
P
W
A
D
T = 25°C  
A
ORDERING INFORMATION  
N−Ch  
P−Ch  
18  
−16  
−55 to  
150  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
DM  
†
Device  
Package  
Shipping  
Operating Junction and Storage Temperature T , T  
°C  
°C  
J
STG  
NTLJD3183CZTAG  
WDFN6 3000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
260  
L
(1/8″ from case for 10 s)  
NTLJD3183CZTBG  
WDFN6 3000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface Mounted on FR4 Board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces).  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
2. Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended pad size  
2
of 30 mm , 2 oz Cu.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
December, 2008 − Rev. 0  
NTLJD3183CZ/D  
 
1234567...9

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