是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
零件包装代码: | DFN | 包装说明: | WDFN-6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.31 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.8 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTLJD3119CTBG | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.6 A/−4.1 A, uCool Complementary, 2x2 mm, WDFN Packa |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTLJD3119CTBG | ONSEMI |
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Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.6 A/−4.1 A, uCool Complementary, 2x2 mm, WDFN Packa | |
NTLJD3181PZ | ONSEMI |
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Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Pack | |
NTLJD3181PZTAG | ONSEMI |
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Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Pack | |
NTLJD3181PZTBG | ONSEMI |
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Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Pack | |
NTLJD3182FZ | ONSEMI |
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Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, | |
NTLJD3182FZTAG | ONSEMI |
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Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, | |
NTLJD3182FZTBG | ONSEMI |
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Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, | |
NTLJD3183CZ | ONSEMI |
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Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4 | |
NTLJD3183CZTAG | ONSEMI |
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Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4 | |
NTLJD3183CZTBG | ONSEMI |
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