5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> NTLJD3181PZTBG
NTLJD3181PZTBG PDF预览

NTLJD3181PZTBG

更新时间： 2024-11-01 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 122K
描述
Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Package

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTLJD3181PZTBG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：DFN包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTLJD3181PZTBG 数据手册

 浏览型号NTLJD3181PZTBG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTLJD3181PZTBG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTLJD3181PZTBG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTLJD3181PZTBG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTLJD3181PZTBG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTLJD3181PZTBG的Datasheet PDF文件第7页 
NTLJD3181PZ  
Power MOSFET  
−20 V, −4.0 A, mCoolt Dual P−Channel,  
ESD, 2x2 mm WDFN Package  
Features  
• WDFN 2x2 mm Package with Exposed Drain Pads for Excellent  
http://onsemi.com  
Thermal Conduction  
• Lowest R  
Solution in 2x2 mm Package  
V
R
MAX  
I
D
MAX (Note 1)  
−4.0 A  
DS(on)  
(BR)DSS  
DS(on)  
• Footprint Same as SC−88 Package  
• Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments  
• ESD Protected  
100 mW @ −4.5 V  
144 mW @ −2.5 V  
200 mW @ −1.8 V  
−20 V  
• This is a Pb−Free Device  
D1  
D2  
Applications  
• Optimized for Battery and Load Management Applications in  
Portable Equipment  
• Li−Ion Battery Charging and Protection Circuits  
• High Side Load Switch  
G1  
G2  
S1  
S2  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
P−CHANNEL MOSFET  
P−CHANNEL MOSFET  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
−20  
8.0  
Unit  
V
V
DSS  
MARKING  
DIAGRAM  
D2  
D1  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
I
A
T = 25°C  
−3.2  
−2.3  
−4.0  
1.5  
1
2
3
6
5
4
D
A
WDFN6  
CASE 506AN  
Steady  
State  
JEMG  
T = 85°C  
A
G
Pin 1  
t ≤ 5 s  
T = 25°C  
A
JE = Specific Device Code  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
Steady  
State  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
D
T = 25°C  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
t ≤ 5 s  
2.3  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
I
A
T = 25°C  
−2.2  
−1.6  
0.71  
D
A
PIN CONNECTIONS  
T = 85°C  
A
Steady  
State  
D1  
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
W
D
T = 25°C  
A
S1  
G1  
D2  
D1  
1
2
3
6
5
4
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
−16  
A
p
DM  
G2  
S2  
Operating Junction and Storage Temperature T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
STG  
D2  
Source Current (Body Diode) (Note 2)  
I
−1.0  
A
S
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
(Top View)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
1. Surface Mounted on FR4 Board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces).  
NTLJD3181PZTAG  
WDFN6 3000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
2. Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended pad size  
2
NTLJD3181PZTBG  
WDFN6 3000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
of 30 mm , 2 oz Cu.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
December, 2008 − Rev. 0  
NTLJD3181PZ/D  
 
1234567

中文翻译

下载PDF

与NTLJD3181PZTBG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTLJD3182FZ ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET and Schottky Diode −20 V,
NTLJD3182FZTAG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET and Schottky Diode −20 V,
NTLJD3182FZTBG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET and Schottky Diode −20 V,
NTLJD3183CZ ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4
NTLJD3183CZTAG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4
NTLJD3183CZTBG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4
NTLJD4114N ONSEMI

获取价格

 		High Efficiency DC-DC Converters
NTLJD4116N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTLJD4116NT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTLJD4150P ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET -30 V, -3.4 A, uCool TM Dual P-Channel,2x2 mm WDFN Package

与NTLJD3181PZTBG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证