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NTLGF3501NT2G

更新时间： 2024-11-13 01:18:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 93K
描述
Power MOSFET and Schottky Diode

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NTLGF3501NT2G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DFN
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.36
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：13.8 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTLGF3501NT2G 数据手册

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NTLGF3501N  
Power MOSFET and  
Schottky Diode  
20 V, 4.6 A FETKY), N−Channel,  
2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6  
http://onsemi.com  
MOSFET  
Features  
• Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mm  
• Reduced Gate Charge to Improve Switching Response  
• Enhanced Thermal Characteristics  
• This is a Pb−Free Device  
V
R
TYP  
I TYP  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
20 V  
70 mW @ 4.5 V  
4.6 A  
SCHOTTKY DIODE  
Applications  
V
R
MAX  
V TYP  
F
I MAX  
F
• Buck Converter, Inverting Buck/Boost  
• High Side DC−DC Conversion Circuits  
• Power Management in Portable, HDD and Computing  
20 V  
0.36 V  
2.0 A  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
Heatsink 1  
J
1
6
2
3
4
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
V
3
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
12  
V
2
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
I
D
3.4  
A
5
4
A
Steady  
State  
5
T = 85°C  
A
2.5  
Heatsink 2  
1
1, 6 = Anode  
2, 5 = Source/Cathode  
3
4
t ≤ 10 s T = 25°C  
4.6  
A
= Gate  
= Drain  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
P
D
1.74  
W
6
T = 25°C  
A
t ≤ 10 s  
3.13  
2.8  
MARKING  
DIAGRAMS  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
T = 25°C  
A
I
D
A
Steady T = 85°C  
2.0  
A
State  
1
3501  
AYWW  
G
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
D
1.14  
W
DFN6  
CASE 506AG  
T = 25°C  
A
1
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
13.8  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
STG  
3501  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Source Current (Body Diode)  
I
S
1.7  
A
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
L
260  
°C  
(1/8″ from case for 10 s)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
1. Surface Mounted on FR4 Board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[1 oz] including traces).  
DFN6  
(Pb−free)  
NTLGF3501NT1G  
NTLGF3501NT2G  
3000 / Tape & Reel  
2. Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended pad size  
(Cu area = 0.5 in sq).  
DFN6  
(Pb−free)  
3000 / Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 1  
NTLGF3501N/D  
 
12345678

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