NTE5424

更新时间： 2024-11-02 07:14:03

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NTE		可控硅整流器开关电视电源开关
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描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) for TV Power Supply Switching

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NTE5424

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

for TV Power Supply Switching

Description:

The NTE5424 is a silicon controlled rectifier (SCR) in a TO220 type package designed for high–speed

switching applications such as power inverters, switching regulators, and high–current pulse applica-

tions. This device features fast turn–off, high dv/dt, and high di/dt characteristics and may be used

at frequencies up to 25kHz.

Features:

D Fast Turn–Off Time

D High di/dt and dv/dt Capabilities

D Shorted–Emitter Gate–Cathode Construction

D Low Thermal Resistance

D Center–Gate Construction

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–State Voltage (Gate Open, Note 1), V_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Repetitive Peak Reverse Voltage (Gate Open, Note 1), V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

RMS On–State Current (T_C= +60°C, t₁/t₂= 0.5), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0A

Average On–State Current (T_C= +60°C, t₁/t₂= 0.5), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle), I_TSM

60Hz Sinusoidal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A

50Hz Sinusoidal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75A

Peak Forward Gate Power Dissipation (10µs max, Note 2), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13W

Peak Reverse Gate Power Dissipation (10µs max, Note 2), P_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13W

Average Gate Power Dissipation (10ms max, Note 2), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Rate of Change of On–State Current V_DM= 400V, I_GT= 500mA, t_r= 0.5µs), di/dt . . . . . . . 200A/µs

Fusing Current (T_C= +60°C, 8.3ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26A²s

Operating Case Temperature Range, T_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 10sec max), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +225°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2°C/W

Note 1. These values do not apply if there is a positive gate signal. Gate must be open or negatively

biased.

Note 2. Any product of gate current and gate voltage which results in a gate power less than the max-

imum is permitted.

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