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NTE5426 PDF预览

NTE5426

更新时间： 2024-09-29 07:14:03
品牌 Logo 应用领域
NTE 可控硅整流器栅
页数 文件大小 规格书
2页 21K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) Sensitive Gate

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NTE5426 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：2.08其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mA最大直流栅极触发电压：0.8 V
最大维持电流：3 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3通态非重复峰值电流：100 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：10000 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：10 A
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

NTE5426 数据手册

 浏览型号NTE5426的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5426  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
Sensitive Gate  
Description:  
The NTE5426 is silicon controlled rectifier (SCR) in an isolated tab TO220 type package. This device  
may be switched from off–state to conduction by a current pulse applied to the gate terminal and is  
designed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays.  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Off–State Voltage (Gate Open, TC = +110°C), VDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
Repetitive Peak Reverse Voltage (Gate Open, TC = +110°C), VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
RMS On–State Current (TC = +80°C, 180° Conduction Angle), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle, 50 or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . . . 80A  
Peak Gate–Trigger Current (3µs max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak Gate–Power Dissipation (IGT = IGTM), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W  
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW  
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C and “Maximum Ratings” unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Peak Off–State Current  
I
,
Rated V  
or V , T = +110°C,  
–
–
0.1  
mA  
DRM  
I
DRM  
RG – K = 1kΩ  
RRM  
C
RRM  
Maximum On–State Voltage  
Gate Trigger Current, Continuous DC  
Gate Trigger Voltage, Continuous DC  
DC Holding Current  
V
I = Rated Amps  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
8
2.0  
200  
0.8  
3.0  
2.5  
–
V
µA  
V
TM  
T
I
Anode Voltage = 12V, R = 60Ω  
L
GT  
V
Anode Voltage = 12V, R = 60Ω  
GT  
L
I
Gate Open, RG – K = 1kΩ  
mA  
µs  
H
Turn–On Time  
t
(t + t ) I = 150mA  
d r GT  
gt  
Critical Rate of Rise of Off–State  
Voltage  
critical Gate Open, T = +110°C,  
dv/dt  
V/µs  
C
RG – K = 1kΩ  
12

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NTE5426 替代型号

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