5秒后页面跳转
NTE5458 PDF预览

NTE5458

更新时间: 2024-09-23 22:40:43
品牌 Logo 应用领域
NTE 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate

NTE5458 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:2.09Is Samacsys:N
其他特性:SENSITIVE GATE外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:3 mA
JEDEC-95代码:TO-202JESD-30 代码:R-PSFM-T3
通态非重复峰值电流:20 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:4000 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:4 A断态重复峰值电压:600 V
重复峰值反向电压:600 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

NTE5458 数据手册

 浏览型号NTE5458的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5452 thru NTE5458  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
4 Amp Sensitive Gate  
Description:  
The NTE5452 through NTE5458 are sensitive gate 4 Amp SCR’s in a TO202 type package designed  
to be driven directly with IC and MOS devices. These reverse–blocking triode thyristors may be  
switched from off–state to conduction by a current pulse applied to the gate terminal. They are de-  
signed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays.  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Reverse Voltage (TC = +100°C), VRRM  
NTE5452 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
NTE5453 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
NTE5454 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5455 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5456 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
NTE5457 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5458 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Repetitive Peak Off–State Voltage (TC = +100°C), VDRXM  
NTE5452 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
NTE5453 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
NTE5454 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5455 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5456 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
NTE5457 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5458 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . . 20A  
Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak Gate–Power Dissipation (IGT IGTM for 3µs Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W  
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW  
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5°C/W  

NTE5458 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE5455 NTE

完全替代

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
NTE5457 NTE

完全替代

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate

与NTE5458相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE546 NTE

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 12000V V(RRM), Silicon
NTE5460 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5461 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5462 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5463 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5465 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5466 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5468 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5470 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp
NTE5471 ETC

获取价格