NTE5444

更新时间： 2024-09-29 00:01:19

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp

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NTE5444 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.4	Is Samacsys：	N
其他特性：	SENSITIVE GATE	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	30 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	40 mA
JEDEC-95代码：	TO-127	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	通态非重复峰值电流：	80 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	8000 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	8 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5444 数据手册

NTE5442 thru NTE5448

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

8 Amp

Description:

The NTE5442 thru NTE5448 are silicon controlled rectifiers (SCR’s) in a TO127 type package de-

signed for high–volume consumer phase–control applications such as motor speed, temperature,

and light controls, and for fast switching applications in ignition and starting systems, voltage regula-

tors, vending machines, and lamp drivers.

Features:

D Small, Rugged Construction

D Practical Level Triggering and Holding Characteristics @ +25°C:

I_GT= 7mA Typ

I_Hold= 6mA Typ

D Low “ON” Voltage: V_TM= 1V Typ @ 5A @ +25°C

D High Surge Current Rating: I_TSM= 80A

Absolute Maximum Ratings: (Note 1, T_J= +100°C unless otherwise specified)

Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage (Note 2), V_DRMor V_RRM

NTE5442 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

NTE5444 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5446 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5448 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage (t = 5ms (max) duration), V_RSM

NTE5442 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V

NTE5444 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

NTE5446 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE5448 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

RMS On–State Current (All Conduction Angles), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Average On–State Current (T_C= +73°C), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1A

Peak Non–Repetitive Surge Current, I_TSM

(1/2 cycle, 60Hz preceeded and followed by rated current and voltage) . . . . . . . . . . . . . 80A

Circuit Fusing (T_J= –40° to +100°C, t = 1ms to 8.3ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A²sec

Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Average Gate Power, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Peak Forward Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Reverse Gate Voltage, V_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W

Note 1. NTE5444 and NTE5446 are discontinued devices and are replaced by NTE5448.

Note 2. Ratings apply for zero or negative gate voltage but positive gate voltage shall not be applied

concurrently with a negative potential on the anode. When checking forward or reverse

blocking capability, thyristor devices should not be tested with a constant current source in

a manner that the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.

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NTE5444 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE5417	NTE	功能相似	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5455	NTE	功能相似	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
NTE5454	NTE	功能相似	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate

与NTE5444相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5446	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp
NTE5448	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp
NTE5452	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
NTE5453	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
NTE5454	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
NTE5455	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
NTE5456	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
NTE5457	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
NTE5458	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
NTE546	NTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 12000V V(RRM), Silicon

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