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NTE5460

更新时间： 2024-01-07 04:53:52
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NTE 栅极触发装置可控硅整流器局域网
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2页 24K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR)

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NTE5460 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.65
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：40 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：40 mAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0通态非重复峰值电流：300 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：25000 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：25 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

NTE5460 数据手册

 浏览型号NTE5460的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5460  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
Description:  
The NTE5460 is designed primarily for half–wave AC control applications such as motor controls,  
heating controls, and power supply crowbar circuits.  
Features:  
D Glass Passivated Junction with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability  
D Small, Rugged Construction for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation, and Durability  
D 300A Surge Current Capability  
D Insulated Package Simplifies Mounting  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Off–State Voltage (TJ = –40° to +125°C, Note 1), VDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Repetitive Peak Reverse Voltage (TJ = –40° to +125°C, Note 1), VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
On–State RMS Current (TC = +70°C, Full Cycle Sine Wave 50 to 60Hz, Note 2), IT(RMS) . . . . . 25A  
Peak Non–Repetitive Surge Current, ITSM  
(One Full Cycle, 60Hz, TC = +70°C, Preceeded and Followed by Rated Current) . . . . 300A  
Circuit Fusing (t = 8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375A2s  
Peak Gate Power (TC = +70°C, Pulse Width = 10µs), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W  
Average Gate Power (TC = +70°C, t = 8.3ms), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W  
Peak Gate Current (TC = +70°C, Pulse Width = 10µs), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
RMS Isolation Voltage (TA = +25°C, Relative Humidity ≤ 20%), V(ISO) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W  
Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink, RthCS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2°C/W  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60°C/W  
Note 1. Ratings apply for open gate conditions. Thyristor devices shall not be tested with a constant  
current source for blocking capability such that the voltage applied exceeds the rated block-  
ing voltage.  
Note 2. The case temperature reference point for all TC measurements is a point on the center lead  
of the package as close as possible to the plastic body.  
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