NTE5468

更新时间： 2024-01-23 19:42:16

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp

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NTE5468 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.12	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	15 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	20 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	通态非重复峰值电流：	100 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	10000 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	10 A
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5468 数据手册

NTE5461 thru NTE5468

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

10 Amp

Description:

The NTE5461 through NTE5468 series silicon controlled rectifiers are designed primarily for half–

wave AC control applications such as motor controls, heating controls, and power supplies; or wher-

ever half–wave silicon gate–controlled, solid–state devices are needed. These devices are supplied

in a TO220 type package.

Features;

D Glass Passivated Junctions and Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability

D Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation,

and Durability

D Blocking Voltage to 800 Volts

Absolute Maximum Ratings:

Peak Repetitive Reverse Voltage; Peak Repetitive Off–State Voltage (Note 1), V_RRM, V_DRM

NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Non–Repetitive Peak Reverse Voltage; Non–Repetitive Off–State Voltage, V_RSM, V_DSM

NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V

NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125V

NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V

RMS Forward Current (All Conducting Angles, T_C= +75°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak Forward Surge Current (1 Cycle, Sine Wave, 60Hz, T_C= +80°C), I_TSM. . . . . . . . . . . . . . 100A

Circuit Fusing Considerations (T_J= –65° to +100°C, t = 1 to 8.3ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A²s

Forward Peak gate Power (t ≤ 10µs), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W

Forward Average Gate Power, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2°C/W

Note 1. V_DRMand V_RRMfor all types can be applied on a continuous DC basis without incurring dam-

age. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices shall not have a positive bias

applied to the gate concurrently with a negative potential on the anode.

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