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NTE5428

更新时间: 2024-01-05 10:32:11
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NTE 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 21K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 7 Amp

NTE5428 数据手册

 浏览型号NTE5428的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5427 thru NTE5429  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
7 Amp  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Reverse Voltage (TC = +110°C), VRRM  
NTE5427 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5428 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5429 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Repetitive Peak Off–State Voltage (TC = +110°C), VDRM  
NTE5427 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5428 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5429 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
RMS On–State Current (TC = +80°C, Conduction Angle of 180°), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A  
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . . 80A  
Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak Gate–Power Dissipation (IGT IGTM), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W  
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW  
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +110°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
IRRM  
IDRM  
VTM  
IHOLD  
IGT  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
1
1
mA  
mA  
V
Peak Off–State Current  
VRRM = Max, VDRM = Max,  
TC = +110°C, RGK = 1kΩ  
Maximum On–State Voltage  
DC Holding Current  
IT = 7A  
2
50  
25  
1.5  
mA  
mA  
V
DC Gate–Trigger Current  
DC Gate–Trigger Voltage  
Gate Controlled Turn–On Time  
I2t for Fusing Reference  
VD = 6VDC, RL = 100Ω  
VD = 6VDC, RL = 100Ω  
IG x 3GT  
VGT  
tgt  
I2t  
2
µs  
For SCR Protection  
2.6 A2sec  
Critical Rate of Off–State Voltage  
dv/dt Gate Open, TC = +100°C  
100  
V/µs  
(critical)  

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