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NTE5455

更新时间： 2024-01-14 08:49:08
品牌 Logo 应用领域
NTE 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate

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NTE5455 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：2.09
Is Samacsys：N其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：3 mAJEDEC-95代码：TO-202
JESD-30 代码：R-PSFM-T3通态非重复峰值电流：20 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：4000 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：4 A
断态重复峰值电压：200 V重复峰值反向电压：200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

NTE5455 数据手册

 浏览型号NTE5455的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5452 thru NTE5458  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
4 Amp Sensitive Gate  
Description:  
The NTE5452 through NTE5458 are sensitive gate 4 Amp SCR’s in a TO202 type package designed  
to be driven directly with IC and MOS devices. These reverse–blocking triode thyristors may be  
switched from off–state to conduction by a current pulse applied to the gate terminal. They are de-  
signed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays.  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Reverse Voltage (TC = +100°C), VRRM  
NTE5452 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
NTE5453 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
NTE5454 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5455 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5456 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
NTE5457 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5458 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Repetitive Peak Off–State Voltage (TC = +100°C), VDRXM  
NTE5452 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
NTE5453 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
NTE5454 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5455 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5456 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
NTE5457 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5458 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . . 20A  
Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak Gate–Power Dissipation (IGT ≤ IGTM for 3µs Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W  
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW  
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5°C/W  
12

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