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NTE5454

更新时间: 2024-11-01 22:40:43
品牌 Logo 应用领域
NTE 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate

NTE5454 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:2.08
其他特性:SENSITIVE GATE外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:3 mA
JEDEC-95代码:TO-202JESD-30 代码:R-PSFM-T3
通态非重复峰值电流:20 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:4000 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:4 A断态重复峰值电压:100 V
重复峰值反向电压:100 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

NTE5454 数据手册

 浏览型号NTE5454的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5452 thru NTE5458  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
4 Amp Sensitive Gate  
Description:  
The NTE5452 through NTE5458 are sensitive gate 4 Amp SCR’s in a TO202 type package designed  
to be driven directly with IC and MOS devices. These reverse–blocking triode thyristors may be  
switched from off–state to conduction by a current pulse applied to the gate terminal. They are de-  
signed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays.  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Reverse Voltage (TC = +100°C), VRRM  
NTE5452 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
NTE5453 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
NTE5454 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5455 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5456 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
NTE5457 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5458 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Repetitive Peak Off–State Voltage (TC = +100°C), VDRXM  
NTE5452 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
NTE5453 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
NTE5454 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5455 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5456 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
NTE5457 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5458 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . . 20A  
Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak Gate–Power Dissipation (IGT IGTM for 3µs Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W  
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW  
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5°C/W  

NTE5454 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE5455 NTE

完全替代

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
NTE5457 NTE

完全替代

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate
C106M1 ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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