5秒后页面跳转
NTE5470 PDF预览

NTE5470

更新时间: 2024-11-01 22:40:43
品牌 Logo 应用领域
NTE 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp

NTE5470 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:2.13
Is Samacsys:N外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:30 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:25 mA
JEDEC-95代码:TO-64JESD-30 代码:O-MUPM-D2
通态非重复峰值电流:100 A元件数量:1
端子数量:2最大通态电流:5000 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:8 A断态重复峰值电压:50 V
重复峰值反向电压:50 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

NTE5470 数据手册

 浏览型号NTE5470的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5470 thru 5476  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
5 Amp  
Description:  
The NTE5470 through NTE5476 are multi–purpose PNPN silicon controlled rectifiers in a TO64 type  
stud mount package suitable for industrial and consumer applications.  
Features:  
D Uniform Low–Level Noise–Immune Gate Triggering  
D Low Forward “ON” Voltage  
D High Surge–Current Capability  
Absolute Maximum Ratings: (Apply over operating temperature range unless otherwise specified)  
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage (Note 1), VDRM, VRRM  
NTE5470 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
NTE5471 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5472 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5473 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
NTE5474 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5475 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
NTE5476 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Forward Current RMS, ITRMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A  
Peak Forward Surge Current (One Cycle, 60Hz, TJ = –40° to +100°C), ITSM . . . . . . . . . . . . . . 100A  
Circuit Fusing (TJ = –40° to +100°C, t 8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A2sec  
Peak Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W  
Average Gate Power, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W  
Peak Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Peak Gate Voltage (Note 2), VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V  
Operating Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W  
Stud Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 in. lb.  
Note 1. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices should not be tested for blocking  
capability in a manner such that the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.  
Note 2. Devices should not be operated with a positive bias applied to the gate concurrently with a  
negative potential applied to the anode.  

与NTE5470相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE5471 ETC

获取价格

NTE5472 ETC

获取价格

NTE5473 ETC

获取价格

NTE5474 ETC

获取价格

NTE5475 ETC

获取价格

NTE5476 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp
NTE548 ETC

获取价格

NTE5480 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp
NTE5481 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp
NTE5482 NTE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp