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NTE5465

更新时间： 2024-11-01 22:40:43

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp

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NTE5465 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.08	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	15 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	20 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
通态非重复峰值电流：	100 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	10000 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	10 A	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5465 数据手册

NTE5461 thru NTE5468

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

10 Amp

Description:

The NTE5461 through NTE5468 series silicon controlled rectifiers are designed primarily for half–

wave AC control applications such as motor controls, heating controls, and power supplies; or wher-

ever half–wave silicon gate–controlled, solid–state devices are needed. These devices are supplied

in a TO220 type package.

Features;

D Glass Passivated Junctions and Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability

D Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation,

and Durability

D Blocking Voltage to 800 Volts

Absolute Maximum Ratings:

Peak Repetitive Reverse Voltage; Peak Repetitive Off–State Voltage (Note 1), V_RRM, V_DRM

NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Non–Repetitive Peak Reverse Voltage; Non–Repetitive Off–State Voltage, V_RSM, V_DSM

NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V

NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125V

NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V

RMS Forward Current (All Conducting Angles, T_C= +75°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak Forward Surge Current (1 Cycle, Sine Wave, 60Hz, T_C= +80°C), I_TSM. . . . . . . . . . . . . . 100A

Circuit Fusing Considerations (T_J= –65° to +100°C, t = 1 to 8.3ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A²s

Forward Peak gate Power (t ≤ 10µs), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W

Forward Average Gate Power, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2°C/W

Note 1. V_DRMand V_RRMfor all types can be applied on a continuous DC basis without incurring dam-

age. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices shall not have a positive bias

applied to the gate concurrently with a negative potential on the anode.

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与NTE5465相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5466	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5468	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5470	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp
NTE5471	ETC	获取价格
NTE5472	ETC	获取价格
NTE5473	ETC	获取价格
NTE5474	ETC	获取价格
NTE5475	ETC	获取价格
NTE5476	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp
NTE548	ETC	获取价格

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