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NTE5465

更新时间： 2024-01-08 18:25:27
品牌 Logo 应用领域
NTE 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp

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NTE5465 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：2.08外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：15 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：20 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
通态非重复峰值电流：100 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：10000 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：10 A断态重复峰值电压：400 V
重复峰值反向电压：400 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

NTE5465 数据手册

 浏览型号NTE5465的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5461 thru NTE5468  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
10 Amp  
Description:  
The NTE5461 through NTE5468 series silicon controlled rectifiers are designed primarily for half–  
wave AC control applications such as motor controls, heating controls, and power supplies; or wher-  
ever half–wave silicon gate–controlled, solid–state devices are needed. These devices are supplied  
in a TO220 type package.  
Features;  
D Glass Passivated Junctions and Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability  
D Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation,  
and Durability  
D Blocking Voltage to 800 Volts  
Absolute Maximum Ratings:  
Peak Repetitive Reverse Voltage; Peak Repetitive Off–State Voltage (Note 1), VRRM, VDRM  
NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Non–Repetitive Peak Reverse Voltage; Non–Repetitive Off–State Voltage, VRSM, VDSM  
NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V  
NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125V  
NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V  
NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V  
NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V  
RMS Forward Current (All Conducting Angles, TC = +75°C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Peak Forward Surge Current (1 Cycle, Sine Wave, 60Hz, TC = +80°C), ITSM . . . . . . . . . . . . . . 100A  
Circuit Fusing Considerations (TJ = –65° to +100°C, t = 1 to 8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A2s  
Forward Peak gate Power (t ≤ 10µs), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W  
Forward Average Gate Power, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2°C/W  
Note 1. VDRM and VRRM for all types can be applied on a continuous DC basis without incurring dam-  
age. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices shall not have a positive bias  
applied to the gate concurrently with a negative potential on the anode.  
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