Datasheet > NTE5461

NTE5461

更新时间： 2024-02-12 00:52:39

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE5461 数据手册

NTE5461 thru NTE5468

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

10 Amp

Description:

The NTE5461 through NTE5468 series silicon controlled rectifiers are designed primarily for half–

wave AC control applications such as motor controls, heating controls, and power supplies; or wher-

ever half–wave silicon gate–controlled, solid–state devices are needed. These devices are supplied

in a TO220 type package.

Features;

D Glass Passivated Junctions and Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability

D Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation,

and Durability

D Blocking Voltage to 800 Volts

Absolute Maximum Ratings:

Peak Repetitive Reverse Voltage; Peak Repetitive Off–State Voltage (Note 1), V_RRM, V_DRM

NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Non–Repetitive Peak Reverse Voltage; Non–Repetitive Off–State Voltage, V_RSM, V_DSM

NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V

NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125V

NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V

RMS Forward Current (All Conducting Angles, T_C= +75°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak Forward Surge Current (1 Cycle, Sine Wave, 60Hz, T_C= +80°C), I_TSM. . . . . . . . . . . . . . 100A

Circuit Fusing Considerations (T_J= –65° to +100°C, t = 1 to 8.3ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A²s

Forward Peak gate Power (t ≤ 10µs), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W

Forward Average Gate Power, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2°C/W

Note 1. V_DRMand V_RRMfor all types can be applied on a continuous DC basis without incurring dam-

age. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices shall not have a positive bias

applied to the gate concurrently with a negative potential on the anode.

中文翻译

下载PDF

NTE5461 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE5463	NTE	完全替代	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5417	NTE	类似代替	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5452	NTE	功能相似	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate

与NTE5461相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5462	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5463	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5465	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5466	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5468	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE5470	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp
NTE5471	ETC	获取价格
NTE5472	ETC	获取价格
NTE5473	ETC	获取价格
NTE5474	ETC	获取价格

与NTE5461相关文章

REF70数据手册解读：高精度电压参考源的全面剖析
2024-07-08

2
解析30211801数据手册：PCB端子排MKDSV 5/3-9.5
2024-07-08

1
UL248-14数据手册深度解读：微型保险丝的全面剖析
2024-07-08

3
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

17

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5461

NTE5461 数据手册

NTE5461 替代型号

与NTE5461相关器件

与NTE5461相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5461

NTE5461 数据手册

NTE5461 替代型号

与NTE5461相关器件

与NTE5461相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？