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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> NTE5438
NTE5438 PDF预览

NTE5438

更新时间： 2024-01-03 19:28:56
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NTE 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp

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NTE5438 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：2.11其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mA最大直流栅极触发电压：0.08 V
最大维持电流：3 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3通态非重复峰值电流：100 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：8000 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

NTE5438 数据手册

 浏览型号NTE5438的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5437 & NTE5438  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
8 Amp  
Description:  
The NTE5437 and NTE5438 are silicon controlled rectifiers (SCR) in a TO220 type package designed  
for general purpose high voltage applications where gate sensitivity is required.  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Repetitive Peak Off–State Voltage (TJ = –40° to +125°C, RGK = 1kΩ), VDRM, VRRM  
NTE5437 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5438 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
On–State Current (All Conducting Angles, TC = +85°C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A  
Average On–State Current (Half Cycle, ꢀ = 180°, TC = +85°C), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1A  
Non–Repetitive On–State Current, ITSM  
Half Cycle, 60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88A  
Half Cycle, 50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A  
Fusing Current (t= 10ms, Half Cycle), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32A2s  
Peak Reverse Gate Voltage (IGR = 50µA), VGRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V  
Peak Gate Current (10µs Max), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Peak Gate Dissipation (10µs Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W  
Gate Dissipation (20ms Max), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W  
Oprating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C  
Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec Max), TL . . . . . . . . . . . . . . . +250°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4K/W  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Max Unit  
Off–State Leakage Current  
I
, I  
T = +125°C  
–
–
0.5  
5.0  
mA  
V
+ V  
= Rated Voltage,  
DRM RRM  
J
DRM  
RRM  
R
GK  
= 1kΩ  
T = +25°C  
J
µA  
12

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NTE5438 替代型号

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