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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> NTE5429
NTE5429 PDF预览

NTE5429

更新时间： 2024-02-04 13:13:43
品牌 Logo 应用领域
NTE 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 7 Amp

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NTE5429 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：2.08Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：25 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：50 mA
JEDEC-95代码：TO-5JESD-30 代码：O-MBCY-W3
通态非重复峰值电流：100 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：7000 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：7 A断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

NTE5429 数据手册

 浏览型号NTE5429的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5427 thru NTE5429  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
7 Amp  
Absolute Maximum Ratings:  
Repetitive Peak Reverse Voltage (TC = +110°C), VRRM  
NTE5427 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5428 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5429 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Repetitive Peak Off–State Voltage (TC = +110°C), VDRM  
NTE5427 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5428 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5429 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
RMS On–State Current (TC = +80°C, Conduction Angle of 180°), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A  
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . . 80A  
Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak Gate–Power Dissipation (IGT ≤ IGTM), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W  
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW  
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +110°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
IRRM  
IDRM  
VTM  
IHOLD  
IGT  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1
1
mA  
mA  
V
Peak Off–State Current  
VRRM = Max, VDRM = Max,  
TC = +110°C, RGK = 1kΩ  
Maximum On–State Voltage  
DC Holding Current  
IT = 7A  
–
2
–
50  
25  
1.5  
–
mA  
mA  
V
DC Gate–Trigger Current  
DC Gate–Trigger Voltage  
Gate Controlled Turn–On Time  
I2t for Fusing Reference  
VD = 6VDC, RL = 100Ω  
VD = 6VDC, RL = 100Ω  
IG x 3GT  
–
VGT  
tgt  
I2t  
–
2
µs  
For SCR Protection  
–
2.6 A2sec  
Critical Rate of Off–State Voltage  
dv/dt Gate Open, TC = +100°C  
100  
–
V/µs  
(critical)  
12

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