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NTE2679

更新时间： 2024-11-02 19:51:59

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描述
Transistor,

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NTE2679 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.77	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

NTE2679 数据手册

NTE2679

Silicon NPN Transistor

Power, High Voltage w/Built−In Damper Diode

TO220F Type Package

Features:

D High Breakdown Voltage: V_CBO= 1500V Min

D Wide Area of Safe Operation

D Built−In Damper Diode

Applications:

D Horizontal Deflection Output for TV or CRT Monitor

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector−Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V

Collector−Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V

Emitter−Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9A

Continuous Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

Emitter−Base Breakdown Voltage

Collector−Emitter Saturation Voltage

Base−Emitter Saturation Voltage

Collector Cutoff Current

I = 500mA, I = 0

−

(BR)EBO

CE(sat)

I = 3A, I = 750mA

−

2.5

1.5

1.0

2.0

−

BE(sat)

I = 3A, I = 750mA

−

= 1000V, I = 0

−

μA

CBO

= 1500V, I = 0

−

DC Current Gain

I = 3A, V = 5V

Collector−Emitter Diode Forward Voltage

Current Gain Bandwidth Product

ECF

I = 3A

−

I = 100mA, V = 10V, f =

−

MHz

0.5MHz

Storage Time

Fall Time

−

5.0

0.5

μs

Resistive Load

I = 3A, I = 750mA, I = −1.5A

stg

Rev. 1−11

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