5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTD18N06T4G
NTD18N06T4G PDF预览

NTD18N06T4G

更新时间： 2024-02-06 08:01:22
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 213K
描述
功率 MOSFET，60V，18A，60mΩ，单 N 沟道，DPAK

阅读下载

获取价格

NTD18N06T4G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.15雪崩能效等级（Eas）：72 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：54 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD18N06T4G 数据手册

 浏览型号NTD18N06T4G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NTD18N06T4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD18N06T4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD18N06T4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD18N06T4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD18N06T4G的Datasheet PDF文件第7页 
NTD18N06  
Power MOSFET  
18 Amps, 60 Volts  
N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
V
R
TYP  
I
D
MAX  
(BR)DSS  
DS(on)  
Features  
60 V  
51 mW  
18 A  
• Pb−Free Packages are Available  
N−Channel  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
D
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
S
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
MARKING  
DIAGRAMS  
DSS  
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
DGR  
GS  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
4
V
V
"20  
"30  
Drain  
GS  
GS  
− Non−repetitive (t v10 ms)  
p
4
Drain Current  
DPAK  
− Continuous @ T = 25°C  
I
18  
10  
54  
Adc  
Apk  
CASE 369C  
STYLE 2  
A
D
2
1
− Continuous @ T = 100°C  
I
D
A
3
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
p
DM  
2
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
55  
0.36  
2.1  
W
W/°C  
W
A
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
4
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Drain  
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
72  
mJ  
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 2  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 50 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
L = 1.0 mH, I (pk) = 12 A, V = 60 Vdc)  
L
DS  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
°C/W  
1
2
R
R
R
2.73  
100  
71.4  
q
JC  
JA  
JA  
3
q
q
1
2
3
Gate Drain Source  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
°C  
L
18N06 = Device Code  
Y
WW  
G
= Year  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recom-  
mended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses  
above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. When surface mounted to an FR−4 board using the minimum recommended  
pad size.  
= Work Week  
= Pb−Free Device  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
2. When surface mounted to an FR−4 board using the 0.5 sq in drain pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 2  
NTD18N06/D  
1234567...10

下载PDF

与NTD18N06T4G相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NTD20 EDI HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS

获取价格
NTD20N03L27 ONSEMI Power MOSFET

获取价格
NTD20N03L27/D ETC Power MOSFET 20 Amps， 30 Volts

获取价格
NTD20N03L271 ONSEMI TRANSISTOR 20 A, 30 V, 0.031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET

获取价格
NTD20N03L27-1 ONSEMI Power MOSFET

获取价格
NTD20N03L27-1G ONSEMI Power MOSFET

获取价格

与NTD18N06T4G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证