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NTD18N06T4G

更新时间： 2024-02-27 16:55:47

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安森美 - ONSEMI		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	213K
描述
功率 MOSFET，60V，18A，60mΩ，单 N 沟道，DPAK

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NTD18N06T4G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.15	雪崩能效等级（Eas）：	72 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	54 A
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTD18N06T4G 数据手册

NTD18N06

SAFE OPERATING AREA

100

= 20 V

= 12 A

SINGLE PULSE

10 ms

= 25°C

100 ms

1 ms

10 ms

LIMIT

DS(on)

THERMAL LIMIT

PACKAGE LIMIT

0.1

100

125

150

175

, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

T , STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Figure 11. Maximum Rated Forward Biased

Safe Operating Area

Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus

Starting Junction Temperature

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

(pk)

0.1

(t) = r(t) R

D CURVES APPLY FOR POWER

PULSE TRAIN SHOWN

READ TIME AT t

0.01

SINGLE PULSE

J(pk)

− T = P

(t)

(pk)

DUTY CYCLE, D = t /t

0.01

1.0E−05

1.0E−04

1.0E−03

1.0E−02

t, TIME (ms)

1.0E−01

1.0E+00

1.0E+01

Figure 13. Thermal Response

di/dt

TIME

0.25 I

Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform

http://onsemi.com

1...4 5 678 9 10

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