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NE68839R-T2

更新时间: 2024-11-19 15:46:07
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 458K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN

NE68839R-T2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
其他特性:LOW NOISE外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:0.8 pF
集电极-发射极最大电压:6 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):80最高频带:C BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):9000 MHzBase Number Matches:1

NE68839R-T2 数据手册

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