NE688M03

更新时间： 2024-10-31 22:24:11

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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3页	37K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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NE688M03 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, M03, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	0.8 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	9500 MHz	Base Number Matches：	1

NE688M03 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NPN SILICON TRANSISTOR NE688M03

OUTLINE DIMENSIONS ^{(Units in mm)}

FEATURES

PACKAGE OUTLINE M03

•

NEW M03 PACKAGE:

• Smallest transistor outline package available

• Low profile/0.59 mm package height

1.2±0.05

0.8±0.1

• Flat lead style for better RF performance

•

HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

fT = 9.5 GHz

1.4 ±0.1

(0.9)

0.45

LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.7 dB at 2 GHz

0.3±0.1

HIGH COLLECTOR CURRENT:

ICMAX = 100 mA

0.2±0.1

DESCRIPTION

0.59±0.05

The NE688M03 transistor is designed for low cost amplifier

andoscillatorapplications.Lownoisefigure,highgainandhigh

current capability equate to wide dynamic range and excellent

linearity. NEC's new low profile/flat lead style "M03" package

is ideal for today's portable wireless applications. The NE688

isalsoavailableinchipandsixdifferentlowcostplasticsurface

mount package styles.

+0.1

-0.05

0.15

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

EIAJ¹REGISTERED NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE688M03

2SC5437

M03

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

Gain Bandwidth at VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

GHz

9.5

Noise Figure at VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

1.9

1.7

2.5

|S21E|²

Insertion Power Gain at VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

hFE

Forward Current Gain at VCE = 1 V, IC = 3 mA

Collector Cutoff Current at VCB = 5 V, IE = 0

Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0

145

0.1

0.8

ICBO

IEBO

µA

CRE

Feedback Capacitance at VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz

0.7

Notes:

1. Electronic Industrial Association of Japan.

2. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.

3. Capacitance is measured with emitter and case connected to the guard terminal at the bridge.

California Eastern Laboratories

12 3

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NE68939	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE68939	CEL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE68939-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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