NE688M23

更新时间： 2024-10-31 22:24:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NE688M23 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	0.8 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

NE688M23 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NPN SILICON TRANSISTOR NE688M23

OUTLINE DIMENSIONS ^{(Units in mm)}

FEATURES

PACKAGE OUTLINE M03

•

NEW MINIATURE M23 PACKAGE:

– World's smallest transistor package footprint —

leads are completely underneath package body

– Low profile/0.55 mm package height

0.5

– Ceramic substrate for better RF performance

•

HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

0.25

0.4

fT = 9.5 GHz

LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.7 dB at 2 GHz

HIGH COLLECTOR CURRENT:

IC MAX = 100 mA

0.25

0.2

0.15

DESCRIPTION

0.6

The NE688M23 transistor is designed for low cost amplifier

andoscillatorapplications.Lownoisefigure,highgainandhigh

current capability equate to wide dynamic range and excellent

linearity. NEC's new low profile/ceramic substrate style "M23"

package is ideal for today's portable wireless applications. The

NE688 is also available in chip and six different low cost plastic

surface mount package styles.

BOTTOM VIEW

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

3. Base

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

EIAJ¹REGISTERED NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE688M23

2SC5651

M23

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

Gain Bandwidth at VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

Noise Figure at VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

Insertion Power Gain at VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

Forward Current Gain at VCE = 1 V, IC = 3 mA

Collector Cutoff Current at VCB = 5 V, IE = 0

GHz

1.9

|S21E|²

2.5

hFE

145

0.1

0.8

ICBO

IEBO

µA

Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0

CRE

Feedback Capacitance at VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz

0.7

Notes:

1. Electronic Industrial Association of Japan.

2. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.

3. Capacitance is measured with emitter and case connected to the guard terminal at the bridge.

California Eastern Laboratories

中文翻译

下载PDF

与NE688M23相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE68939	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE68939	CEL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE68939-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE68939-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE68939-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SC-61, 4
NE68939-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SC-61, 4
NE69039	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE69039	CEL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE69039-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE69039-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

与NE688M23相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NE688M23

NE688M23 技术参数

NE688M23 数据手册

与NE688M23相关器件

与NE688M23相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NE688M23

NE688M23 技术参数

NE688M23 数据手册

与NE688M23相关器件

与NE688M23相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？