Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NE68939-T1

NE68939-T1

更新时间： 2024-02-11 19:08:06

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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2页	30K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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NE68939-T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SC-61, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE68939-T1 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

NE68939

FEATURES

OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)

• OUTPUT POWER AT 1dB COMPRESSION POINT:

24.5 dBm TYP @F = 1.9 GHZ, VCE = 3.6 V, Class AB,

Duty 1/8

PACKAGE OUTLINE 39

+0.2

-0.3

2.8

• 4 PIN MINI MOLD PACKAGE: NE68939

+0.10

+0.2

-0.1

0.4

-0.05

(LEADS 2, 3, 4)

1.5

2.9 ± 0.2

0.95

0.85

1.9

1) Collector

2) Emitter

3) Base

DESCRIPTION

+0.10

-0.05

0.6

The NE68939 is a low voltage, NPN Silicon Bipolar Transistor

for pulsed power applications. The device is designed to op-

erate from a 3.6 V supply, and deliver over 1/4 watt of power

output at frequencies up to 2.0 GHZ with a 1:8 duty cycle.

These characteristics make it an ideal device for TX driver

stage in a 1.9 GHZ digital cordless telephone (DECT or PHS).

The part is supplied in a SOT-143 (SC-61) 4-pin Mini-mold

package and is available on tape and reel.

4) Emitter

+0.2

1.1

0.8

+0.10

-0.1

0.16

-0.06

5˚

0 to 0.1

The NE68939 transistors are manufactured to NEC's strin-

gent quality assurance standards to ensure highest reliability

and consistent superior performance.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

PART NUMBER

PACKAGE CODE

NE68939

SYMBOLS

ICBO

PARAMETERS

UNITS

MIN

TYP

MAX

2.5

Collector Cutoff Current, VCB = 5 V, IE = 0

Emitter Cutoff Current, VEB = 1 V, IC = 0

DC Current Gain, VCE = 3.6 V, IC = 100 mA

µA

IEBO

2.5

hFE

P-1

Output Power

dBm

24.5

VCE = 3.6 V, f = 1.9 GHZ

ICq = 2 mA (Class AB)

Duty 1/8

Power Gain

6.5

η_C

Collector Efficiency

TON

Maximum Device On Time

10.0

California Eastern Laboratories

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与NE68939-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE68939-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE68939-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SC-61, 4
NE68939-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SC-61, 4
NE69039	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE69039	CEL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE69039-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE69039-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE69039-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, S
NE69039-T1FB-A	NEC	获取价格	暂无描述
NE696M01	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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