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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE71000L | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE71000N | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE71-02 | SIPAT |
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GSM Repeater |
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| NE71083 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5V V(BR)DSS | MICRO-X |
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| NE71083-06 | NEC |
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LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
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| NE71083-07 | NEC |
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LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
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| NE71083-08 | NEC |
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LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
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| NE71084 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5V V(BR)DSS | MICRO-X |
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| NE71084-06 | NEC |
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LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
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| NE71084-08 | NEC |
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LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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