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NE72000N

更新时间: 2024-11-19 14:54:11
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 163K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE72000N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.40风险等级:5.84
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:5 V最大漏极电流 (ID):0.09 A
FET 技术:METAL SEMICONDUCTOR最高频带:C BAND
JESD-30 代码:R-XUUC-N5元件数量:1
端子数量:5工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:UNCASED CHIP
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

NE72000N 数据手册

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