NE71383B

更新时间： 2024-11-18 22:29:07

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
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L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE71383B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	83B, 4 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	4 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	X-CXMW-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	MICROWAVE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	8 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE71383B 数据手册

DATA SHEET

GaAs MES FET

NE713

L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL GaAs MES FET

FEATURES

x Low noise figure

NF = 0.6 dB TYP. at f = 4 GHz

x High associated gain

Ga = 14 dB TYP. at f = 4 GHz

x Gate width: Wg = 280 Pm

x Gate Length: Lg = 0.3 Pm

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

NE71300-N

NE71300-M

NE71300-L

NE71383B

I ^DSS(mA)

20 to 50

50 to 80

80 to 120

20 to 120

PACKAGE CODE

00 (CHIP)

83B

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Gate to Drain Voltage

Drain Current

V^DS

V^GSO

V^GDO

I^D

5.0

ð5.0

ð6.0

I^DSS

Total Power Dissipation

P^tot

270

°C

[NE71383B]

400

[NE71300]

Channel Temperature

Storage Temperature

T^ch

175

T^stg

ð65 to +175

°C

RECOMMENDED OPERATING CONDITION (T^A= 25 °C)

CHARACTERISTIC

Drain to Source Voltage

Drain Current

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

V^DS

I^D

dBm

Input Power

Pⁱⁿ

Document No. P11691EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published February 1997 N

Printed in Japan

1996

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